VAP系列 晶圆级等离子活化系统
应用：晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表︾面较小particle去除、表面有机残留去除等。
特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空ζ间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离ζ 子体密度高、均匀性好。
在线咨询
特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空ζ间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离ζ 子体密度高、均匀性好。
| 编号 | 内容 | 规格参数 |
|---|---|---|
| 1 | 整机结构 | 带load port系统分为前端设备←操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分Ψ体式设计 |
| 2 | 等离子体源 | 射频等离子体源或双频等离子体源 |
| 3 | 反应腔室 | 标准设计为双【反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和∴多反应腔→室结构 |
| 4 | 机械传片 | 单臂或双臂高精▂度机械手 |
| 5 | Wafer升降 | 机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理 |
| 6 | 前真空泵 | 干式真空泵，根据安装▲位置及工艺不同，选择100-300m3/h规格 |
| 7 | 高真▆空真空泵 | 分子泵（水冷或CDA冷却） |
| 8 | 工艺压力控制 | 自ω动调压蝶阀 |
| 9 | 真空检测 | 管道◥真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空∞计、压差开关 |
| 10 | 工艺气体种类 | 标准①配置高纯Ar、N2、O2，可增加其他高纯工艺气体 |
| 设备主◆要应用：晶圆级封装前表面预处理、晶圆级键合前表面活化、光刻胶涂覆前表面活化、晶圆表面∩较小particle去除、表面有机残留去除等。 设卐备主要特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、超洁净反应腔室，有效控制各种污染物、整机空间环境污染物控制、射频等离子发生器或双频等离子发生器、晶圆表面损伤小，可用于带图形晶圆的表面活化、等离子体密度高、均匀性好。 |
||
- 在线咨询
- 微信咨询
微信╱扫码咨询
- 联系电话
- 电话0755-81452366
- 手机13510501616
- 返回顶部