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VDP-A系列等离子去≡胶系统

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技术参数相关产品

编号	内容	规格参数
1	整机结构	前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等』离子体处理单元分体式设计
2	等离子体源	射频式电『感耦合等离子体源或双频等离子体源
3	反应腔室	标准设计为▆双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室〓结构
4	机械传片	单臂或双臂ㄨ高精度机械手Wafer升降
5	Wafer升降	机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工◣艺处理
6	真空泵	干式真空泵，根据安↑装位置及工艺不同，选择100-600m3/h规格。如工艺需求，可增加分子泵。
7	工艺压力控制	自动调压蝶阀
8	真空检测	管道真◆空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计
9	工≡艺气体种类▼	标准配置Ar、N2、O2，可增加CF4及Ψ 其他工艺气体
10	气体流量←控制	质量流量控制器（MFC）
设备主要应用：硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。设备主要特点：可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、独特的等离子处理空间设计∑　、等离子体密度高、去胶速率快、均匀性好、使用成本低、定制程度高、本系列设备的设计遵从中国国家安全标准及SEMI相关安全标准要求。